[发明专利]氧化锌基低压压敏陶瓷薄膜材料及制备方法

摘要

本发明涉及氧化锌压敏陶瓷，具体地说是氧化锌基低压压敏陶瓷薄膜材料及制备方法。所述薄膜的厚度1μm-3μm，按照如下摩尔百分比组分进行配料，ZnO95%～98%为主体材料，Bi2O3、Sb2O3、Co2O3、Cr2O3和MnO2为压敏功能添加剂，各为0.1%～1.0%；球磨后干燥，造粒后压制成素坯，烧结成溅射靶材；再利用磁控溅射法制备氧化锌基低压压敏陶瓷薄膜材料：所述薄膜材料的压敏电压为2.03～4.84V，非线性系数为15.42～19.67，漏电流密度为0.24～0.83μA/mm2。本发明的氧化锌基低压压敏陶瓷薄膜材料可用于集成电路中抑制瞬间高压、吸收浪涌电能。

主权项

一种氧化锌基低压压敏陶瓷薄膜材料，薄膜的厚度1μm‑3μm，其特征在于：所述薄膜材料按摩尔百分比包括下述组分：ZnO95%～98%为主体材料，Bi2O3、Sb2O3、Co2O3、Cr2O3和MnO2为压敏功能添加剂，各为0.1%～1.0%，所述薄膜材料的压敏电压为2.03～4.84V，非线性系数为15.42～19.67，漏电流密度为0.24～0.83μA/mm2。