[发明专利]一种多孔硅的制备方法无效
| 申请号： | 201110108203.9 | 申请日： | 2011-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN102134737A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 朱亦鸣;秦汉;曹剑炜;张冬生;张璇峰;林鹏飞;陈宏彦;张益彬;彭滟;陈麟;倪争技 | 申请（专利权）人： | 上海理工大学 |
| 主分类号： | C25F3/14 | 分类号： | C25F3/14;C25F7/00 |
| 代理公司： | 上海东创专利代理事务所(普通合伙) 31245 | 代理人： | 宁芝华 |
| 地址： | 200093 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种多孔硅的制备方法，首先把硅片装配在电解槽中，再把电解液加入电解槽内，并把金属铂插入电解液中做阴极，其特点是：将电解槽置于超声波发生器中，其中超声波发生器内的导电液体作为阳极；用脉冲电流源连接阳极和阴极，打开脉冲电流源和超声波发生器，进行电化学腐蚀反应，即得多孔硅片。当电解槽放入超声波发生器内，所述硅片的裸露面浸没在超声波发生器内的导电液体里。超声波发生器内的导电液体为水或氯化钠溶液。本发明通过将电解槽置于有水的超声波发生器中，不仅可以让水把超声波能量传递到硅片上，主动加快氢气和反应生成堆积物的扩散，还可以让水作为反应阳极，让硅片的反应部分的电场更加均匀，使硅孔分布均匀，界面平整，大大提高了腐蚀效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多孔 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种多孔硅的制备方法，首先把硅片装配在电解槽中，再把电解液加入电解槽内，并把金属铂插入电解液中做阴极，其特征在于：A)将所述的电解槽置于超声波发生器中，其中超声波发生器内的导电液体作为阳极；B)用脉冲电流源连接阳极和阴极，打开脉冲电流源和超声波发生器，进行电化学腐蚀反应，即得多孔硅片。
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