[发明专利]发光二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 201110108388.3 | 申请日： | 2011-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN102185055A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 李淼 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管及其制造方法，所述发光二极管包括衬底以及位于所述衬底上的缓冲层、非掺层、n型半导体层、有源层、p型半导体层以及电流扩散层；所述发光二极管还包括设置于所述n型半导体层内部的第一插入层和/或设置于所述n型半导体层与有源层之间的第二插入层，其中，所述第一插入层和第二插入层由至少一层非掺杂AlxInyGa1-x-yN层和/或至少一层掺Si的AlxInyGa1-x-yN层构成，0≤x＜0.2，0≤y＜0.2。在n型区域电流注入时，所述插入层可起到缓冲的作用，防止电子扩散到p型区域，提高电子和空穴的符合效率，从而提高发光二极管的发光亮度；此外，所述插入层可形成类似充放电的效果，从而有效的提高了材料抵抗静电的能力。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，包括：衬底；以及位于所述衬底上的缓冲层、非掺层、n型半导体层、有源层、p型半导体层以及电流扩散层；其特征在于，还包括设置于所述n型半导体层内部的第一插入层和/或设置于所述n型半导体层与有源层之间的第二插入层，其中，所述第一插入层和第二插入层由至少一层非掺杂AlxInyGa1‑x‑yN层和/或至少一层掺Si的AlxInyGa1‑x‑yN层构成，0≤x＜0.2，0≤y＜0.2。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于映瑞光电科技（上海）有限公司，未经映瑞光电科技（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110108388.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：路灯照明控制系统
- 下一篇：用于SCR-催化器的运行方法
