[发明专利]发光元件

摘要

在半导体发光功能层的一个面形成2个电极的结构的发光元件中，在长度方向上获得均匀的发光强度。半导体发光功能层(20)形成在Si基板(11)上，具有由n型GaN层(第1半导体层)(21)、MQW层(22)和p型GaN层(第2半导体层)(23)构成的层叠结构。在p型GaN层(23)的表面(一个主面)，以从另一个端部(左端部)侧向右端部侧延伸的形态形成有透明电极(31)。在该右端部侧的区域内形成有n侧电极(34)，在左端部侧的区域内形成有p侧电极(33)。透明电极(31)的宽度从左端部向右端部变宽。由此，在接近p侧电极(33)的侧在MQW层(22)内朝上下方向流动的电流的扩展受到透明电极(31)限制。

主权项

一种发光元件，其使用在具有第1导电类型的第1半导体层上形成了具有第2导电类型的第2半导体层的半导体发光功能层，在用于使该半导体发光功能层发光的通电中使用的2个电极均形成于所述半导体发光功能层中的形成了所述第2半导体层的侧的主面上，其中，该第2导电类型的导电类型与所述第1导电类型相反，该发光元件的特征在于，该发光元件具有：第1电极，其在所述半导体发光功能层的一个端部在从所述主面侧去除了所述第2半导体层之处按照与所述第1半导体层接触的方式形成；透明电极，其在所述第2半导体层的表面，从另一个端部侧朝向所述一个端部侧延伸，并按照与该延伸方向垂直的方向上的有效长度从所述另一个端部侧朝向所述一个端部侧而变长的方式形成；以及第2电极，其在所述另一个端部侧按照与所述透明电极接触的方式形成于所述透明电极上。