[发明专利]pMOSFET器件负偏置温度不稳定性寿命预测方法有效
| 申请号： | 201110109449.8 | 申请日： | 2011-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN102262206A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 何燕冬;张钢刚;刘晓彦;张兴 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种pMOSFET器件负偏置温度不稳定性寿命预测方法，包括：S1：施加负偏置应力之前，测量pMOSFET器件的初始特性，得到初始器件参数；S2：对该器件的栅极施加应力条件，且漏极电压为正常工作电压，在预设的时间间隔内对该器件进行应力老化测试；S3：对该器件进行参数测试，得到与老化时间相关的器件参数，直至总体应力时间结束；S4：漏极电压为正常工作电压下，重复步骤S2和S3，进行不同应力条件测试，以器件参数退化到临界点为准，得到相应应力条件下pMOSFET器件的失效时间；S5：利用不同应力条件下pMOSFET器件的失效时间，预测栅极电压为正常工作电压条件下的器件可靠性寿命，本发明的方法得到的器件失效时间比常规方法更短，因此更能反映pMOSFET器件的NBTI寿命。 | ||
| 搜索关键词： | pmosfet 器件 偏置 温度 不稳定性 寿命 预测 方法 | ||
【主权项】：
一种pMOSFET器件负偏置温度不稳定性寿命预测方法，其特征在于，采用制造工艺条件下的最小沟道长度器件进行测试，包括以下步骤：S1：在对所述pMOSFET器件的栅极施加负偏置应力之前，测量所述pMOSFET器件的初始特性，得到初始器件参数；S2：对所述pMOSFET器件的栅极施加应力条件，同时漏极电压为正常工作电源电压，在预设的时间间隔内对该pMOSFET器件进行应力老化测试；S3：对所述pMOSFET器件进行参数测试，得到与老化时间相关的器件参数，直至总体应力时间结束；S4：漏极电压为正常工作电源电压下，重复步骤S2和S3，进行多个不同应力条件的测试，以器件参数退化到临界点为基准，得到相应应力条件下pMOSFET器件的失效时间；S5：利用不同应力条件下的pMOSFET器件的失效时间，通过数据外推的方法得到栅极电压为正常工作电源电压条件下的器件可靠性寿命。
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