[发明专利]半导体器件的制造方法和晶片有效
| 申请号： | 201110109825.3 | 申请日： | 2011-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN102760690A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 孟晓莹;周俊卿;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/28;C30B29/06 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 孙宝海 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体器件的制造方法和晶片，涉及半导体技术。该方法包括：提供衬底，在衬底的第一表面上形成有栅氧化物层和多晶硅层；根据图案化的掩模刻蚀多晶硅以形成具有倒脚的多晶硅栅极；其中，该方法还包括在刻蚀多晶硅前在衬底的第二表面沉积拉伸应力薄膜的步骤。通过在衬底的第二表面沉积拉伸应力薄膜对晶片产生拉伸应力，使得在刻蚀多晶硅过程中形成具有倒脚的多晶硅栅极，从而使得生产的半导体器件具有更小的栅源/漏重叠电容和更好的TDDB参数，提高了半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 晶片 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：提供衬底，在所述衬底的第一表面上形成有栅氧化物层和多晶硅层；根据图案化的掩模刻蚀所述多晶硅以形成具有倒脚的多晶硅栅极；其中，还包括：在刻蚀所述多晶硅前在所述衬底的第二表面沉积拉伸应力薄膜的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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