[发明专利]具有单栅双沟道结构的薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201110110050.1 | 申请日： | 2011-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN102184968A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 许志平;吴为敬;赖志成;谢佳松;颜骏 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 罗观祥 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了具有单栅双沟道结构的薄膜晶体管及其制造方法，在基板上形成第一源、漏极，然后淀积第一有源层，有源层边缘与第一源、漏极边缘重叠。继而在第一有源层上依次形成第一绝缘层、栅极、第二绝缘层。第二有源层以对应第一有源层的方式形成于第二绝缘层上，第二源、漏极以对应第一源、漏极的方式形成于第二有源层之上，从而形成单栅双沟道结构的薄膜晶体管。该结构薄膜晶体管优点：可作为双向开关或三态器件；可用于对两个电路行为一致的电路分支进行控制；具有高开态电流；可作为反相器。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 单栅双 沟道 结构 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
具有单栅双沟道结构的薄膜晶体管，其特征是：包括基板(b11)、第一源极(b1)、第二源极(b9)、第一漏极(b2)、第二漏极(b10)、栅极(b5)、第一有源层(b3)、第二有源层(b7)；所述第一源极(b1)、第一漏极(b2)形成于基板(b11)上；所述第一有源层(b3)形成于第一源极(b1)、第一漏极(b2)之间，其边缘与第一源极(b1)、第一漏极(b2)边缘重叠；所述第一绝缘层(b4)形成于第一有源层(b3)之上；所述栅极(b5)对应第一有源层(b3)并形成于第一绝缘层(b4)上；所述第二绝缘层(b6)形成于栅极(b5)之上；所述第二有源层(b7)对应第一有源层(b3)并形成于第二绝缘层(b6)上；所述第二源(b9)、第二漏极(b10)形成于第二有源层(b7)上，并且其边缘与第二有源层(b7)边缘重叠。
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