[发明专利]相变半导体器件的制造方法以及相变半导体器件有效
| 申请号： | 201110110144.9 | 申请日： | 2011-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN102760832A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 任万春 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 罗银燕 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及相变半导体器件的制造方法以及相变半导体器件。所述制造方法包括以下步骤：在衬底上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成金属层；形成从所述金属层贯通至所述绝缘层的通孔；在所述金属层和所述通孔上形成相变材料层，以至少填满所述通孔；以及进行平坦化处理。其中，所述制造方法还包括以下步骤：在形成所述金属层之后且在形成所述通孔之前、或者在形成所述通孔之后且在形成所述相变材料层之前、或者在形成所述相变材料层之后且在进行平坦化处理之前，对所述金属层进行退火处理，以在所述金属层和所述绝缘层之间的界面处形成金属化合物层。所述制造方法能够在相变半导体器件制造工艺期间改善相变材料层与绝缘层之间的粘附性。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 半导体器件 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
一种相变半导体器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括以下步骤：在衬底上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成金属层；形成从所述金属层贯通至所述绝缘层的通孔；在所述金属层和所述通孔上形成相变材料层，以至少填满所述通孔；以及进行平坦化处理，其中，所述制造方法还包括以下步骤：在形成所述金属层之后且在形成所述通孔之前、或者在形成所述通孔之后且在形成所述相变材料层之前、或者在形成所述相变材料层之后且在进行平坦化处理之前，对所述金属层进行退火处理，以在所述金属层和所述绝缘层之间的界面处形成金属化合物层。
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