[发明专利]铜铟硒纳米管阵列膜的制备方法有效
| 申请号： | 201110110229.7 | 申请日： | 2011-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN102191555A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 马荔;周桃;郑茂俊 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B7/00;C25D11/10 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种纳米材料技术领域的铜铟硒纳米管阵列膜的制备方法，通过将电解腐蚀方法制成的多孔氧化铝模板表面进行无序阻碍层处理，制成两端双通的四周带铝圈的多孔氧化铝膜；然后将多孔氧化铝膜的表面镀金后浸入含有CuCl2、InCl3和H2SeO3的混合溶液，最后经退火处理制成黄铜矿晶体结构的铜铟硒纳米管阵列。本发明通过调节多孔氧化铝模板和多孔金膜的孔径实现内外径(或壁厚)可控的铜铟硒纳米管阵列制备，而铜铟硒纳米管的成分可以通过调节溶液的pH值、各组分比和浓度等来控制；材料的结晶度可以通过后期的退火处理来改善。 | ||
| 搜索关键词： | 铜铟硒 纳米 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种铜铟硒纳米管阵列膜的制备方法，其特征在于，通过将电解腐蚀方法制成的多孔氧化铝模板表面进行无序阻碍层处理，制成两端双通的四周带铝圈的多孔氧化铝膜；然后将多孔氧化铝膜的表面镀金后浸入含有CuCl2、InCl3和H2SeO3的混合溶液，最后经退火处理制成黄铜矿晶体结构的铜铟硒纳米管阵列。
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