[发明专利]纳米复合相变材料、制备方法及其在相变存储器中的应用有效
| 申请号： | 201110110342.5 | 申请日： | 2011-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN102169958A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 吕业刚;宋三年;宋志棠 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;C23C14/34;B82Y10/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种纳米复合相变材料及其制备方法、以及在相变存储器中的应用。其中，所述纳米复合相变材料包含：摩尔百分比为70-99%的相变材料GeTe和摩尔百分比为1-30%的介质材料HfO2。相变材料GeTe与介质材料HfO2在纳米尺度内均匀复合，一方面抑制了相变材料的结晶，提升了材料的热稳定性，改善了材料的数据保持能力；另一方面因为介质材料的参与，使得有效编程体积减小，因而减小了相变单元结晶前后的体积变化和降低了RESET电流，这有助于存储器件的操作稳定性和实现低功耗。总之，这种新型纳米复合相变材料应用到存储器中，可使相变存储器件的RESET电压降低，编程体积减小，有利于实现高密度存储，提高相变存储器的编程过程中的加热效率，降低其功耗，提升数据保持能力等。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 复合 相变 材料 制备 方法 及其 存储器 中的 应用 | ||
【主权项】：
一种纳米复合相变材料，其特征在于包括：摩尔百分比为70‑99％的相变材料GeTe，以及摩尔百分比为1‑30％的介质材料。
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