[发明专利]一种提高PMOS器件中空穴迁移率的多晶硅栅附加样本填充方法有效
| 申请号： | 201110110369.4 | 申请日： | 2011-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN102412156A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 俞柳江 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种提高PMOS器件中空穴迁移率的多晶硅栅附加样本填充方法，包括，于一衬底上设置半导体器件，其中，在所述半导体器件上平行其沟道方向制备至少一附加多晶硅样本栅，所述多晶硅样本栅位于隔离半导体器件有源区的浅沟槽隔离结构上。本发明提供一种提高PMOS器件中空穴迁移率的多晶硅栅附加样本填充方法通过在PMOS器件上平行其沟道方向上设置多晶硅样本栅，利用其浅沟槽中的二氧化硅衬和样本栅中多晶硅的热膨胀系统的不同，在浅沟槽热工艺之后降至常温过程中，由于收缩程度的不同而形成的应力来改善半导体器件沟道中的应力，以提高其性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 pmos 器件 空穴 迁移率 多晶 附加 样本 填充 方法 | ||
【主权项】：
一种提高PMOS器件中空穴迁移率的多晶硅栅附加样本填充方法，包括，于一衬底上设置半导体器件，其特征在于，在所述半导体器件上平行其沟道方向制备至少一附加多晶硅样本栅，所述多晶硅样本栅位于隔离半导体器件有源区的浅沟槽隔离结构上 。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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