[发明专利]用于提高半导体器件性能的附加空置有源区填充方法有效
| 申请号： | 201110110370.7 | 申请日： | 2011-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN102412157A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 俞柳江 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于提高半导体器件性能的附加空置有源区填充方法，集成电路板未加工的区域设为浅沟槽区域，其中，用多个附加空置有源区对所述浅沟槽区域进行填充，所述附加空置有源区在集成电路板上的轮廓为方形，所述有源区附加样本的任意一边所在的直线与所述半导体器件的沟道方向所在的直线均呈一定夹角。本发明解决了现有技术中附加空置有源区填充后所产生的压应力对NMOS器件的性能产生负面影响的问题，通过改变附加空置有源区与NMOS器件之间的角度，实现改变NMOS器件所受的压应力的情况，从而达到提高NMOS器件性能的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 提高 半导体器件 性能 附加 空置 有源 填充 方法 | ||
【主权项】：
一种用于提高半导体器件性能的附加空置有源区填充方法，包括，一集成电路板上设有多个半导体器件，半导体器件中包括一种第一晶体管，将所述集成电路板未加工半导体器件的空余区域设为浅沟槽区域，其特征在于，用多个附加空置有源区对所述浅沟槽区域进行部分填充，所述附加空置有源区在集成电路板上的轮廓为方形，所述附加空置有源区的任意一边所在的直线与所述半导体器件的沟道方向所在的直线均呈夹角。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
