[发明专利]表面形成玻璃层的硅晶圆及其制造方法有效
| 申请号： | 201110111020.2 | 申请日： | 2011-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN102208370A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 张仓生;郭宗裕 | 申请（专利权）人： | 昆山东日半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林;严志平 |
| 地址： | 215332 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种表面形成玻璃层的硅晶圆及其制造方法，其中，硅晶圆包括硅晶圆和玻璃层，其中玻璃层为钝化层，其特征在于，所述的硅晶圆表面用于晶粒切割的区域形成图案化的沟槽，所述的玻璃层设置在沟槽内，且所述的玻璃层的中间厚度比外侧厚度薄，而其制造方法包括下列步骤：提供硅晶圆；涂布玻璃溶液于沟槽内；进行第一干燥处理；涂布玻璃溶液于第一干燥层上；进行第二干燥处理；将第一干燥层和第二干燥层进行烧结处理。本发明使得硅晶圆沟槽内的玻璃层中间厚度较外侧厚度薄，并利用玻璃层厚度分布的差异，使得在切割硅晶圆的过程中，可降低玻璃层边缘破裂的可能性。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 形成 玻璃 硅晶圆 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
表面形成玻璃层的硅晶圆，包括硅晶圆和玻璃层，其中玻璃层为钝化层，其特征在于，所述的硅晶圆表面用于晶粒切割的区域形成图案化的沟槽，所述的玻璃层设置在沟槽内，且所述的玻璃层的中间厚度比外侧厚度薄。
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