[发明专利]半导体装置

摘要

实施方式的半导体装置具备：第一导电型的漏极层；第一导电型的漂移层，设置于上述漏极层之上；第二导电型的基极区，设置于上述漂移层之上；第一导电型的源极区，选择性地设置于上述基极区表面。实施方式的半导体装置具备：第一栅电极，隔着第一绝缘膜设置于多个第一沟槽内，该第一沟槽从上述源极区的表面贯通上述基极区而与上述漂移层接触；场板电极，隔着第二绝缘膜在上述第一沟槽内设置于上述第一栅电极之下；第二栅电极，隔着第三绝缘膜设置于第二沟槽内，该第二沟槽在上述第一沟槽彼此之间从上述源极区的表面贯通上述基极区而与上述漂移层接触。实施方式的半导体装置具备：漏电极，与上述漏极层连接；源电极，与上述源极区和上述基极区连接。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具备：第一导电型的漏极层；第一导电型的漂移层，设置于上述漏极层之上；第二导电型的基极区，设置于上述漂移层之上；第一导电型的源极区，选择性地设置于上述基极区的与上述漂移层侧相反侧的表面；源电极，与上述源极区和上述基极区连接；漏电极，与上述漏极层连接；多个第一沟槽，分别从上述源极区的表面贯通上述基极区而与上述漂移层接触；多个第一栅电极，分别隔着第一绝缘膜配置在上述第一沟槽内，下端位于比上述基极区的底面深的位置；多个场板电极，分别在上述第一沟槽内，隔着上述第一绝缘膜设置在上述第一栅电极的下方；多个第二沟槽，分别从上述源极区的表面贯通上述基极区而与上述漂移层接触，下端位于比上述第一沟槽的下端浅的位置；以及多个第二栅电极，分别隔着第二绝缘膜配置在上述第二沟槽内，下端位于比上述基极区的底面深的位置；从垂直于上述漂移层主面的方向看，上述多个第一沟槽的某些在第一方向上以条纹状延伸，该第一方向是与上述源电极侧的上述基极区的表面平行的同一方向，上述多个第二沟槽的某些在上述第一方向上以条纹状延伸。