[发明专利]111晶向铸锭硅单晶及其制备方法无效
| 申请号： | 201110111693.8 | 申请日： | 2011-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN102206857A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 熊震;张志强;黄振飞;刘振淮;黄强 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B11/00 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 路接洲 |
| 地址： | 213031 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种<111>晶向铸锭硅单晶及其制备方法，包括以下步骤：1)将<111>晶向单晶硅块紧密排列，铺满坩埚底部，然后依次将硅料、掺杂元素原料、硅料置于坩埚中；2)抽取真空，通入惰性气体，边抽真空边通入惰性气体；3)加热坩埚，使<111>晶向的单晶硅块接触于坩埚底部的部分不熔化，与坩埚不接触的部分、硅料及掺杂元素原料均熔化并在原子尺度上彼此充分混合；4)定向凝固时，使坩埚底部为冷端，<111>晶向单晶的未熔化部分诱导硅熔体的凝固生长，得到<111>晶向的铸锭单晶硅。本发明能得到单晶比例高达95％以上的铸锭单晶，能显著降低用于制造太阳能电池的单晶硅成本。 | ||
| 搜索关键词： | 111 铸锭 硅单晶 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种<111>晶向铸锭硅单晶，其特征在于：所述的铸锭硅单晶的单晶比例大于或等于95％。
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