[发明专利]一种太阳能电池浮动结背面钝化结构及其方法

摘要

本发明涉及太阳能电池钝化技术领域，特别是一种太阳能电池浮动结背面钝化的方法。P型晶体硅电池的传统背面钝化路线是使用二氧化硅或氮化硅作为背面的钝化层，但是在背面空穴是少子，而所增加的钝化层所带的电荷为正电，阻止了空穴向背面的运动，从而得不到背面钝化的效果，本发明在背面增加了一个N型区，大大的降低了背面的复合，增加电压和效率。其结构为：在P型硅基体的背面增加一层N型区，在N型区上生长或沉积钝化层。其工艺方法为：在硅片清洗制绒之后在硅片表面制作一层二氧化硅的薄膜，正面的二氧化硅在完成正面扩散后去除，在背面二氧化硅上开槽、扩散，在背面形成N型钝化层，然后在正面和背面分别沉积钝化膜。

主权项

一种太阳能电池浮动结背面钝化结构，其特征是：在P型硅基体(1)的背面增加一层N型区(2)，在N型区(2)上生长或沉积钝化层。