[发明专利]包括微透镜的太阳能电池及其制造方法有效
申请号: | 201110111901.4 | 申请日: | 2011-04-27 |
公开(公告)号: | CN102237429A | 公开(公告)日: | 2011-11-09 |
发明(设计)人: | 金在铉;朴成基;林定植;李泰荣;金敏澈 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L31/052 | 分类号: | H01L31/052;H01L31/075;H01L31/18;G02B3/00 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明公开了一种包括微透镜的太阳能电池及其制造方法。本制造微透镜的方法包括:在基板上形成具有强疏水性的自组装单层;通过使用喷墨装置喷射透明墨在自组装单层上形成多个墨滴,该透明墨包括具有第一沸点的第一溶剂,具有低于第一沸点的第二沸点的第二溶剂,和分散在第一和第二溶剂中的硅氧化物(SiOx)固体材料;和干燥该多个墨滴。 | ||
搜索关键词: | 包括 透镜 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池,包括:基板;在所述基板上的第一透明电极;在所述第一透明电极上的第一正 本征 负(PIN)结半导体层,其中所述第一PIN结半导体层包括在所述第一透明电极上的负(N)型半导体层,在所述N型半导体层上的本征半导体层和在所述本征半导体层上的正(P)型半导体层,并且其中N型和P型半导体层分别包括掺杂有N型和P型杂质的硅,以及所述本征半导体层包括氢化硅;在所述第一PIN结半导体层上的第二透明电极;和在所述第二透明电极上的聚光装置,其中所述聚光装置包括具有强疏水性的自组装单层和在所述自组装单层上的具有亲水性的多个微透镜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的