[发明专利]一种氮化物LED结构及其制备方法无效
| 申请号： | 201110112429.6 | 申请日： | 2011-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN102157646A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 于洪波 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化物LED结构，其在N型电子注入层与多量子阱有源层之间插入一In含量渐变的InGaN层，从而释放多量子阱有源层和N型电子注入层之间的应力，提高器件的内量子效率和发光强度；同时，还公开了一种氮化物LED结构的制备方法，通过在N型电子注入层与多量子阱有源层之间生长一In含量渐变的InGaN层，从而释放多量子阱有源层和N型电子注入层之间的应力，提高器件的内量子效率和发光强度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化物 led 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物LED结构，至少包括N型电子注入层、P型空穴注入层以及夹在所述N型电子注入层与所述P型空穴注入层之间的多量子阱有源层，且所述多量子阱有源层与所述P型空穴注入层之间设置有一电子阻挡层，其特征在于，所述N型电子注入层与所述多量子阱有源层之间还设置有一In含量渐变的InGaN层，其中，所述InGaN层中的In含量低的部分靠近所述N型电子注入层，In含量高的部分靠近所述多量子阱有源层。
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