[发明专利]一种湿法钝化锗单晶表面的方法无效
| 申请号： | 201110113478.1 | 申请日： | 2011-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN102220643A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 席珍强;杨成林 | 申请（专利权）人： | 浙江理工大学 |
| 主分类号： | C30B33/00 | 分类号： | C30B33/00;C30B29/08 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 林怀禹 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种湿法钝化锗单晶表面的方法。该方法的步骤如下：将氢氟酸与过氧化氢溶液体积比例为1～4∶4～1混合；将混合溶液加热至30～80℃；把锗单晶放入混合溶液，反应的时间为30～300秒。在锗单晶表面形成GeOx钝化层。将过氧化氢的氧化性和氢氟酸对锗氧化物的选择溶解性二者有机地结合起来，在锗单晶表面取得了较好的钝化效果，该方法操作简单，效率高，同时避免了锗单晶片去除表面氧化物的复杂操作过程。本发明可用于半导体器件工艺制造领域包括太阳能电池用、CMOS器件用等锗晶片钝化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 湿法 钝化 锗单晶 表面 方法 | ||
【主权项】：
一种湿法钝化锗单晶表面的方法，其特征在于该方法的步骤如下：1)将氢氟酸与过氧化氢溶液体积比例为1～4∶4～1混合；2)将混合溶液加热至30～80℃；3)把锗单晶放入混合溶液，反应的时间为30～300秒。4)在锗单晶表面形成GeOx钝化层。
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