[发明专利]一种MOCVD反应器有效
| 申请号： | 201110113928.7 | 申请日： | 2011-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN102766852A | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | 楼刚 | 申请（专利权）人： | 广东量晶光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京瑞恒信达知识产权代理事务所(普通合伙) 11382 | 代理人： | 曹津燕 |
| 地址： | 528251 广东省佛山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MOCVD反应器，包括炉盖、保护板、沉积区和衬托，炉盖下方是保护板，保护板下方是衬托，炉盖和保护板之间布置通有净化气体的管道，保护板和衬托之间布置从炉盖上方延伸的、通过生长气体的管道，其特征在于，在保护板的竖直方向设置一个或者多个吹扫气孔。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mocvd 反应器 | ||
【主权项】：
一种MOCVD反应器，包括炉盖、保护板、沉积区和衬托，炉盖下方是保护板，保护板下方是衬托，炉盖和保护板之间布置通有净化气体的管道，保护板和衬托之间布置从炉盖上方延伸的、通过生长气体的管道，其特征在于，在保护板的竖直方向设置一个或者多个吹扫气孔。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
