[发明专利]应用于MOSFET电学仿真的BSIM4应力模型

摘要

本发明提供一种应用于MOSFET电学仿真的BSIM4应力模型，在标准BSIM4模型的基础上，引入了产生应力的版图参量作为实体参数，所述版图参量的值为设计的版图尺寸，包括相邻PC的间距、dummyPC个数、STI与PC间距、Nwell与PC间距、Nwell与OD边界间距；增加了版图参数和影响系数，所述版图参数为表示各版图参量有效值的拟合参数，所述影响系数为表示各版图参量对BSIM4模型基本参数Vth0和μ0影响程度的拟合参数；以及提供根据所述版图参量确定晶体管饱和阈值电压Vtsat和饱和漏极电流Idsat的变化特性的方法：在所述标准BSIM4模型的基础上考虑所述版图参量对零衬偏下长沟道器件阈值电压Vth0和低电场下迁移率μ0的影响；重新定义所述零衬偏下长沟道器件阈值电压Vth0和所述低电场下迁移率μ0。

主权项

一种应用于MOSFET电学仿真的BSIM4 应力模型，其特征在于，在标准BSIM4 模型的基础上，引入了产生应力的版图参量作为实体参数，所述版图参量的值为设计的版图尺寸，包括相邻PC的间距、dummy PC个数、STI与PC间距、Nwell与PC间距、Nwell与OD边界间距；增加了版图参数和影响系数，所述版图参数为表示各版图参量有效值的拟合参数，所述影响系数为表示各版图参量对BSIM4模型基本参数Vth0和μ0影响程度的拟合参数；以及提供根据所述版图参量确定晶体管饱和阈值电压Vtsat和饱和漏极电流Idsat的变化特性的方法：在所述标准BSIM4 模型的基础上考虑所述版图参量对零衬偏下长沟道器件阈值电压Vth0和低电场下迁移率μ0的影响；重新定义所述零衬偏下长沟道器件阈值电压Vth0和e所述低电场下迁移率μ0。