[发明专利]以高频等离子体为热源制备纳米三氧化二铋的方法及装置无效
| 申请号： | 201110114239.8 | 申请日： | 2011-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN102126754A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 张瑜;王翔;沈志平;高跃生;黎明 | 申请（专利权）人： | 贵州正业工程技术投资有限公司 |
| 主分类号： | C01G29/00 | 分类号： | C01G29/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人： | 顾书玲 |
| 地址： | 550005 *** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种以高频等离子体为热源制备纳米三氧化二铋的方法及装置，将粒度不超过0.1mm的金属铋或三氧化二铋粉料由复式给料装置经气体雾化后投入立式反应炉内，使粉料在6000～10000℃的高温等离子体弧区内气化，气态三氧化二铋在反应炉出口处用压缩空气急速冷却至120℃以下，收集，即得。本发明创新性的采用复式给料装置均匀给料，保证粒度分布均匀，采用高频等离子体为热源，将铋氧化物瞬间物理气化为蒸气并快速骤冷来生产纳米三氧化二铋，所得成品的纯度高，平均粒径为20～60nm、比表面积为48～75㎡/g、不易团聚，可以连续生产。 | ||
| 搜索关键词： | 高频 等离子体 热源 制备 纳米 氧化 方法 装置 | ||
【主权项】：
以高频等离子体为热源制备纳米三氧化二铋的方法，其特征在于：将粒度不超过0.1mm的金属铋或三氧化二铋粉料由复式给料装置经气体雾化后投入立式反应炉内，使粉料在6000～10000℃的高温等离子体弧区内气化，气态三氧化二铋在反应炉出口处用压缩空气急速冷却至120℃以下，收集，即得。
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