[发明专利]一种表面增强拉曼光谱活性基底的制备方法有效
| 申请号： | 201110115269.0 | 申请日： | 2011-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN102285629A | 公开（公告）日： | 2011-12-21 |
| 发明（设计）人： | 周勇亮;张大霄;胡冬洁;房晶炎;张维 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;C23C14/24;C23C14/20 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所 35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种表面增强拉曼光谱活性基底的制备方法，涉及一种表面增强拉曼光谱和微加工技术。提供一种既有很高均一性，又有较好增强的表面增强拉曼光谱活性基底的制备方法。在水面上铺展单层聚苯乙烯纳米微珠阵列；利用反应等离子体刻蚀技术制备有间隔的聚苯乙烯纳米微珠阵列；制备表面增强拉曼光谱活性基底。得到的表面增强拉曼基底可以兼顾高均一性和高强度。在光滑的硅或玻璃表面有周期性的金属纳米结构，其制备方法的主要特点在于金属纳米间隔可以调控，可获得高活性和高均匀性的基底。这种方法弥补了常规模板法制备表面增强拉曼基底的不足，同时也能够从现有的商品材料获得高质量的表面增强拉曼基底。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面 增强 光谱 活性 基底 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种表面增强拉曼光谱活性基底的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1)在水面上铺展单层聚苯乙烯纳米微珠阵列；2)利用反应等离子体刻蚀技术制备有间隔的聚苯乙烯纳米微珠阵列；3)制备表面增强拉曼光谱活性基底。
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