[发明专利]半导体绿激光扩束装置无效

专利信息
申请号: 201110115686.5 申请日: 2011-04-24
公开(公告)号: CN102402889A 公开(公告)日: 2012-04-04
发明(设计)人: 张津 申请(专利权)人: 张津
主分类号: G09B23/22 分类号: G09B23/22;G02B27/09
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 274015 山东省菏泽市广福北街*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明涉及一种教学用新型半导体绿激光扩束装置,其主要技术特征是在塑料外壳内装一个半导体绿激光光源,在光源的前端安装一个圆形玻璃柱,在玻璃柱前端塑料外壳上开一圆孔。在塑料外壳上面安装一个开关控制旋钮,开关控制旋钮正对半导体绿激光光源的开关,在塑料外壳下面磁铁嵌槽内安装强磁铁。调节开关控制旋钮,由半导体绿激光光源发出绿激光,绿激光光线经过在光源的前端装圆形玻璃柱扩束,再由玻璃柱前端开孔射出。由塑料外壳下面强磁铁把塑料外壳吸附在黑板或其它光学仪器上。本发明由于绿激光光线强,教学效果好,克服了红激光的弱点,并结构简单,使用方便,它是一种理想的单色教学光源。
搜索关键词: 半导体 激光 束装
【主权项】:
一种教学用新型半导体绿激光扩束装置,其主要技术特征是在塑料外壳内装一个半导体绿激光光源.在绿激光光源的前端安装一个圆形玻璃柱,圆形玻璃柱与半导体绿激光光源垂直.在玻璃柱前端塑料外壳上开一圆孔,圆孔与圆形玻璃柱半导体绿激光光源的射出光口在同一直线上.在塑料外壳上面安装一个开关控制旋钮,开关控制旋钮正对半导体绿激光光源的开关.在塑料外壳下面磁铁嵌槽内安装强磁铁。
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