[发明专利]铬版制造工艺有效
| 申请号： | 201110115739.3 | 申请日： | 2011-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN102181838A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 庄奎乾;熊波;石孟阳 | 申请（专利权）人： | 深圳市科利德光电材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/58;G03F1/08;G03F1/00 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 何青瓦 |
| 地址： | 518000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铬版制造工艺。该铬版制造工艺包括：步骤a，清洗并干燥玻璃基片；步骤b，在真空室内对该玻璃基片进行遮光层溅射镀膜；步骤c，通过回转室返回并对该玻璃基片进行吸光层溅射镀膜；步骤d，对该玻璃基片进行恒温处理。本发明铬版制造工艺通过控制铬版制造工艺的参数，使得本发明制造的铬版在生产过程中具有较高的防静电放电破坏的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 工艺 | ||
【主权项】：
一种铬版制造工艺，其特征在于，包括：步骤a，清洗并干燥玻璃基片；步骤b，在真空室内对所述玻璃基片进行遮光层溅射镀膜，其中所述玻璃基片的传送速率为0.25米/分钟～0.35米/分钟，氩气体积流量为80标况毫升/分钟～200标况毫升/分钟，氮气体积流量为180标况毫升/分钟～320标况毫升/分钟，溅射电压为250伏特～650伏特、溅射电流为1.2安培～3.5安培；步骤c，通过回转室返回并对所述玻璃基片进行吸光层溅射镀膜，其中所述玻璃基片的传送速率为0.25米/分钟～0.35米/分钟，氩气体积流量为100标况毫升/分钟～240标况毫升/分钟，氧气体积流量为220标况毫升/分钟～340标况毫升/分钟，溅射电压为250伏特～650伏特、溅射电流为1.2安培～3.5安培；步骤d，对所述玻璃基片进行恒温处理。
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