[发明专利]真空沉积装置和使用该真空沉积装置的真空沉积方法有效
| 申请号： | 201110115766.0 | 申请日： | 2011-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN102465252A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 李济玩;林永昌;李星昊;朴成镐;崔完旭;郑锡宪 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/04 | 分类号： | C23C14/04;C23C14/56;C23C14/54;C23C14/14;H01M4/04 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 罗正云;王琦 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种将沉积物质沉积到基片中除未涂覆部分之外的涂覆部分的真空沉积装置和使用该真空沉积装置的真空沉积方法。所述真空沉积装置包括：辊筒，在真空腔内支撑具有涂覆部分和未涂覆部分的基片的连续移动；沉积源，安装在所述辊筒的对立侧以向所述涂覆部分提供沉积物质；掩模，在所述沉积源的开口与所述辊筒之间移动时阻断沉积物质从所述沉积源向所述涂覆部分移动；检测传感器，检测在移动的基片上设置的第一参考点和第二参考点；控制器，根据基于第一参考点和第二参考点计算得出的并且在所述掩模上设置的第三参考点和第四参考点是否分别对应于第一参考点和第二参考点来控制所述基片和所述掩模的移动，以便将沉积物质沉积到所述涂覆部分。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 沉积 装置 使用 方法 | ||
【主权项】：
一种真空沉积装置，包括：辊筒，在真空腔内支撑具有涂覆部分和未涂覆部分的基片的连续移动；沉积源，安装在所述辊筒的对立侧以向所述涂覆部分提供沉积物质；掩模，在所述沉积源的开口与所述辊筒之间移动时阻断所述沉积物质从所述沉积源向所述涂覆部分的移动；检测传感器，检测设置在移动的所述基片上的第一参考点和第二参考点；以及控制器，根据基于所述第一参考点和所述第二参考点计算得出的并且设置在所述掩模上的第三参考点和第四参考点是否分别对应于所述第一参考点和所述第二参考点来控制所述基片和所述掩模的移动，以便将所述沉积物质沉积到所述涂覆部分。
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