[发明专利]一种硅料清洗工艺无效
| 申请号： | 201110115954.3 | 申请日： | 2011-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN102212832A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 唐光祖 | 申请（专利权）人： | 湖南天润新能源有限责任公司 |
| 主分类号： | C23G1/14 | 分类号： | C23G1/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 425900 湖南省永州*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开的一种硅料清洗工艺，涉及光伏行业或半导体技术领域，其工艺流程包括：预清洗，碱清洗，超声清洗，碱腐蚀，腐蚀清洗，甩干和烘干；具有既能减少返工率，又能提高产品品质，且对生产环境没有影响等特点，适用于光伏行业或半导体技术领域中硅料的头尾、边皮料的清洗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 清洗 工艺 | ||
【主权项】：
一种硅料清洗工艺，其特征在于工艺流程如下：第一步：预清洗，先将待清洗的硅料置于器皿中，用DI水进行冲洗；第二步：碱清洗，首先，用中性清洗剂采用超声清洗，其次，用稀碱溶液进行清洗，再次，用DI水清洗；第三步：超声清洗，用DI水采用超声清洗；第四步：碱腐蚀，首先，用浓碱溶液进行超声清洗，其次，采用普通纯净水清洗，再次，用DI水冲洗；第五步：腐蚀清洗，用DI水采用超声清洗；第六步：甩干，采用甩干设备进行甩干；第七步：烘干，采用烘干设备进行烘干。
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