[发明专利]一种蓝光发光二极管的外延片结构及其制造工艺有效
| 申请号： | 201110116055.5 | 申请日： | 2011-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN102194938A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 吉爱华;张杰;边树仁;胡家琪 | 申请（专利权）人： | 鄂尔多斯市荣泰光电科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/64;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 彭秀丽 |
| 地址： | 017000 内蒙古自治*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本发明提供一种蓝光发光二极管的外延片结构，在衬底层上依次成型有P-GaN接触层（6），PAlGaN过渡层（5），InGaN/GaN发光层（4），N-GaN接触层（3），所述衬底层采用钼铜基板（8），所述钼铜基板（8）采用各向异性导电粘合剂（7）与所述P-GaN接触层（6）粘结在一起。本发明还公开一种制造蓝光发光二极管外延片结构的工艺。本发明所述的蓝光发光二极管的外延片结构具有发光功率高，散热性能好，可以应用到生产线上进行批量生产等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 结构 及其 制造 工艺 | ||
【主权项】：
一种蓝光发光二极管的外延片结构，在衬底层上依次成型有P‑GaN接触层（6），PAlGaN过渡层（5），InGaN/GaN发光层（4），N‑GaN接触层（3），其特征在于：所述衬底层采用钼铜基板（8），所述钼铜基板（8）采用各向异性导电粘合剂（7）与所述P‑GaN接触层（6）粘结在一起。
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