[发明专利]获取基于BL模型的三维掩膜空气中成像的方法有效

专利信息
申请号: 201110117127.8 申请日: 2011-05-06
公开(公告)号: CN102183879A 公开(公告)日: 2011-09-14
发明(设计)人: 马旭;贡萨洛·阿尔塞;李艳秋 申请(专利权)人: 北京理工大学
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 北京理工大学专利中心 11120 代理人: 李爱英;杨志兵
地址: 100081 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种获取基于BL模型的三维掩膜空气中成像的方法,属于光刻分辨率增强技术领域。当所述的掩膜为二值掩膜时,通过计算掩膜图形对应的总中央透射区域对应的透射率以及边界层的透射率,获取掩膜图形中各像素点对应的FTE和FTM进而计算出空气中成像;当所述的掩膜为PSM时,通过计算不同开口对应中央透射区域的透射率以及其对应的边界层的透射率,获取掩膜图形中各像素点对应的FTE和FTM进而计算出空气中成像;因此本发明对二值掩膜和PSM同样适用。同时本发明利用霍普金斯模型,对部分相干光源所包含的各相干点光源的空气中成像进行叠加,因此本发明适用于采用部分相干光源作为照明系统的光刻机。
搜索关键词: 获取 基于 bl 模型 三维 空气 成像 方法
【主权项】:
1.一种获取基于BL模型三维掩膜空气中成像的方法,其特征在于,具体步骤为:步骤A1、基于BL模型计算三维掩膜TE极化波对应的近场分布FTE和TM极化波对应的近场分布FTM;当所述的掩膜为二值掩膜时,则掩膜图形中开口对应的总中央透射区域的透射率为1,阻光部分的透射率为0,边界层透射率分别为st和sn,边界层宽度为w;设像素尺寸为p,则所述边界层宽度w包含d=w/p个像素;TE极化波对应的近场分布FTE为式(1):TM极化波对应的近场分布FTM为式(2):其中,Γ(x,y)为总中央投射区域上各像素点对应的像素值,即各像素点对应的透射率;当所述的掩膜为PSM时,则掩膜图形中0°相位开口对应的中央透射区域的透射率为1或-1,边界层透射率为st1和sn1,边界层宽度为w1;若0°相位开口对应的中央透射区域的透射率为1,则180°相位开口对应的中央透射区域的透射率为-1,否则180°相位开口对应的中央透射区域的透射率为1,边界层透射率为st2和sn2,边界层宽度为w2;阻光部分对应的透射率为0;设像素尺寸为p,则0°相位开口对应的边界层宽度w1包含d1=w1/p个像素,180°相位开口对应的边界层宽度w2包含d2=w2/p个像素;TE极化波对应的近场分布FTE为式(3):TM极化波对应的近场分布FTM为式(4):步骤A2、根据FTE和FTM利用霍普金斯模型计算空气中成像为式(9)和式(10):ITE=12Σm=1Sφm|hmFTE|2---(9)]]>ITM=12Σm=1Sφm|hmFTM|2---(10)]]>其中,hm为第m个相干系统分量对应的冲击响应;φm为第m个相干系统分量对应的傅里叶级数的系数,m=1,2,3……S,S为部分相干光源中所包含的点光源的个数;步骤A3、将ITE和ITM进行叠加获取空气中成像I。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京理工大学,未经北京理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110117127.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top