[发明专利]可集成的非晶态金属氧化物半导体气体传感器有效
| 申请号： | 201110117658.7 | 申请日： | 2011-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN102778479A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 殷华湘;陈大鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G01N27/02 | 分类号： | G01N27/02;G01N27/414 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 可集成的非晶态金属氧化物半导体气体传感器，本发明提供了一种气体传感器，包括：衬底；加热电极，形成在所述衬底上；信号检测电极，形成在所述衬底上，与所述加热电极共面；气体敏感探测薄膜，形成在所述衬底、所述加热电极以及所述信号检测电极上；其特征在于，所述气体敏感探测薄膜包括非晶态氧化物半导体。依照本发明的气体传感器，由于采用了非晶态半导体作为气体敏感探测薄膜，使得气体传感器可以采用半导体标准制造工艺，降低了成本，提高了器件的均匀性、响应速度，降低了工作温度和功耗，因此可以高效低成本大面积地集成。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 晶态 金属 氧化物 半导体 气体 传感器 | ||
【主权项】：
一种气体传感器，包括：衬底；加热电极，形成在所述衬底上；信号检测电极，形成在所述衬底上，与所述加热电极共面；气体敏感探测薄膜，形成在所述衬底、所述加热电极以及所述信号检测电极上；其特征在于，所述气体敏感探测薄膜包括非晶态氧化物半导体。
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