[发明专利]熔丝电路和包括熔丝电路的存储器件有效
| 申请号： | 201110118041.7 | 申请日： | 2011-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN102456413A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 金贵东;崔俊基 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C17/18 | 分类号： | G11C17/18;G11C17/16 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 许伟群;郭放 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种熔丝电路和一种存储器件。所述熔丝电路包括：多个熔丝单元、放大单元和多个寄存器。放大单元被配置为顺序地将储存在熔丝单元中的数据放大。寄存器被配置为顺序地储存由放大单元放大的数据。 | ||
| 搜索关键词： | 电路 包括 存储 器件 | ||
【主权项】：
一种熔丝电路，包括：多个熔丝单元；放大单元，所述放大单元被配置为顺序地将储存在所述熔丝单元中的数据放大；以及多个寄存器，所述多个寄存器被配置为顺序地储存由所述放大单元放大的数据。
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