[发明专利]具有碲化镉本征层的光伏电池有效
| 申请号： | 201110118328.X | 申请日： | 2011-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN102237419A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | B·A·科雷瓦尔 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | H01L31/0328 | 分类号： | H01L31/0328;H01L31/0352;H01L31/0224;H01L31/075 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 朱海煜;王忠忠 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 光伏(PV)电池(10)包括第一导电层(12)、p型半导体层(14)和具有至少大约5μm的中等晶粒尺寸并且包括镉和碲的大致上本征的半导体层(16)。该PV电池进一步包括n型半导体层(18)和第二导电层(22)。该大致上本征半导体层设置在该p型半导体层和该n型半导体层之间。还提供光伏电池(10)，其包含包括织构化衬底的第一导电层(12)和具有至少大约5μm的中等晶粒尺寸并且包括镉和碲的大致上本征的半导体层(16)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 碲化镉 电池 | ||
【主权项】：
一种光伏电池(10)，其包括：第一导电层(12)；p型半导体层(14)；具有至少大约五(5)μm的中等晶粒尺寸并且包括镉和碲的大致上本征半导体层(16)；n型半导体层(18)；以及第二导电层(22)，其中所述大致上本征半导体层(16)设置在所述p型半导体层和所述n型半导体层之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
