[发明专利]等离子体辅助气相传输沉积装置及方法无效
| 申请号： | 201110118768.5 | 申请日： | 2011-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN102776483A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 刘志强;蒋猛;杨培 | 申请（专利权）人： | 无锡尚德太阳能电力有限公司;四川尚德太阳能电力有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/48 | 分类号： | C23C14/48;C23C16/50 |
| 代理公司： | 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 黄威;郭迎侠 |
| 地址： | 214028 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种等离子体辅助气相传输沉积装置和方法。所述等离子体辅助气相传输沉积装置包括真空腔室和位于真空腔室内用于加热以气化原料的原料加热腔、用于形成等离子体激发区的等离子体发生器和用于把原料加热腔内的气相的原料粒子和携带气体的混合物导出到等离子体发生器形成的等离子体激发区内的气体导出管，等离子体激发区的下方设有用于承载衬底的衬底承载结构。本发明还公开了一种气相传输沉积方法。本发明的等离子体辅助气相传输沉积装置和方法，通过气体导出管改善气相原料粒子在携带气体中的均匀分布，通过等离子体发生器处理气相原料粒子，提高了气相原料粒子的能量，并使气相原料粒子进一步均匀分布在携带气体中，改善成膜质量。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 辅助 相传 沉积 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种等离子体辅助气相传输沉积装置，用于在衬底上沉积薄膜，其特征在于，包括真空腔室、位于所述真空腔室内用于加热以气化原料的原料加热腔、用于形成等离子体激发区的等离子体发生器和用于把所述原料加热腔内气相的原料粒子和携带气体的混合物导出到所述等离子体激发区以使携带气体形成等离子体的气体导出管，所述等离子体激发区的下方设有用于承载所述衬底的衬底承载结构。
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