[发明专利]一种高致密纳米金刚石薄膜的生长方法有效
| 申请号： | 201110119079.6 | 申请日： | 2011-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN102212795A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 张楷亮;任君;王芳;张涛峰;王莎莎;孙大智 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | C23C16/27 | 分类号： | C23C16/27 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300384 天津市南*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种高致密纳米金刚石薄膜的生长方法，采用多步生长法来沉积纳米金刚石薄膜，具体步骤如下：1）将硅衬底用磨料进行研磨处理；2)在上述研磨处理后的硅衬底上沉积金刚石；3）对上述已沉积的金刚石薄膜表面用磨料进行研磨处理；4）在上述研磨处理后的金刚石薄膜表面再次沉积金刚石；5）重复进行步骤3）和4），即可制得高致密纳米金刚石薄膜。本发明的优点是：1）可以制得晶粒小于100nm的高致密纳米金刚石薄膜；2）金刚石薄膜的晶粒范围和致密程度可通过调节沉积方法、沉积时间和研磨-沉积重复次数来进行控制；3）制备方法简单易行；4）用于研磨的金刚石粉容易获取，可循环利用，成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 致密 纳米 金刚石 薄膜 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种高致密纳米金刚石薄膜的生长方法，其特征在于：采用多步生长法来沉积纳米金刚石薄膜，具体步骤如下：1）将硅衬底用磨料进行研磨处理；2) 在上述研磨处理后的硅衬底上沉积金刚石；3）对上述已沉积的金刚石薄膜表面用磨料进行研磨处理；4）在上述研磨处理后的金刚石薄膜表面再次沉积金刚石；5）重复进行步骤3）和4），即可制得高致密纳米金刚石薄膜。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
