[发明专利]阳离子-阴离子复合插层型有机蒙脱石材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201110119438.8 | 申请日： | 2011-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN102241403A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 张泽朋;张吉初;廖立兵;杜高翔 | 申请（专利权）人： | 中国地质大学（北京） |
| 主分类号： | C01B33/44 | 分类号： | C01B33/44 |
| 代理公司： | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 | 代理人： | 刘冬梅 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了阳离子-阴离子复合插层型有机蒙脱石极其制备方法，该方法包括以下步骤：提纯钙基蒙脱石；对钙基蒙脱石进行水化处理：将提纯后的钙基蒙脱石制成水悬浮液，通过机械搅拌与超声作用混合的方式进行水化处理；制备阳离子-阴离子复合插层型有机蒙脱石材料：使用有机阳离子型表面活性剂和阴离子型表面活性剂，分别在超声分散作用和机械搅拌作用下，依次对蒙脱石进行插层。本发明的有机蒙脱石层间距高达5.2nm以上，热稳定性高，在有机相中分散均匀，剥离程度高，性能优异，可作为一种性能优异的填料应用到制备高分子纳米复合材料领域。 | ||
| 搜索关键词： | 阳离子 阴离子 复合 插层型 有机 石材 料及 制备 方法 | ||
【主权项】：
阳离子‑阴离子复合插层型有机蒙脱石的制备方法，该方法包括以下步骤：A.提纯蒙脱石；将钙基蒙脱石进行提纯；B.对蒙脱石进行水化处理：将提纯后的蒙脱石制成水悬浮液，通过机械搅拌与超声作用混合的方式进行水化处理；C.制备阳离子‑阴离子复合插层型有机蒙脱石材料：将已充分水化的蒙脱石水化液记为A液，将有机阳离子型表面活性剂加入A液中并进行超声分散作用，后续再机械搅拌，得B液，然后将阴离子型表面活性剂加入到B液中并机进行超声分散作用，后续再机械搅拌，恒温静置，分离，干燥，得到阳离子‑阴离子复合插层型有机蒙脱石材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国地质大学（北京），未经中国地质大学（北京）许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110119438.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
