[发明专利]形成纳米结构的方法无效
| 申请号： | 201110119659.5 | 申请日： | 2011-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN102566259A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 张俊诚 | 申请（专利权）人： | 铼德科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/09;G03F7/004 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹县湖*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明在此揭露一种形成纳米结构的方法，其包含以下步骤：(a)形成无机光阻层于基材上；(b)形成有机光阻层于无机光阻层上；(c)以激光照射有机光阻层以及无机光阻层，以形成无机光阻层的第一曝光区以及有机光阻层的第二曝光区；(d)移除无机光阻层的第一曝光区以及有机光阻层的第二曝光区，以形成图案化无机光阻层以及图案化有机光阻层；以及(e)自图案化无机光阻层上移除图案化有机光阻层。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 纳米 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种形成纳米结构的方法，其特征在于，包含：(a)形成一无机光阻层于一基材，其中当该无机光阻层被一激光照射时，能发生一相变化；(b)形成一有机光阻层于该无机光阻层上，且该有机光阻层接触该无机光阻层；(c)以该激光照射该有机光阻层以及该无机光阻层，以形成该无机光阻层的一第一曝光区以及该有机光阻层的一第二曝光区，其中该无机光阻层的该第一曝光区发生该相变化，且该第一曝光区重叠该第二曝光区；(d)移除该无机光阻层的该第一曝光区以及该有机光阻层的该第二曝光区，以形成一图案化无机光阻层以及一图案化有机光阻层，其中该图案化无机光阻层以及该图案化有机光阻层具有纳米特征结构；以及(e)自该图案化无机光阻层上移除该图案化有机光阻层。
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