[发明专利]在Si衬底上制备纤锌矿相MxZn1-xO单晶薄膜的方法有效
| 申请号： | 201110119774.2 | 申请日： | 2011-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN102776567A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 梅增霞;梁会力;梁爽;叶大千;刘章龙;崔秀芝;刘尧平;杜小龙 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B25/02;C30B25/18;C30B29/16;C30B29/64 |
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| 摘要： | 本发明提供一种在Si衬底上制备MxZn1-xO(M＝Mg，Be)单晶薄膜的方法，包括：在Si衬底表面上沉积Be金属单晶薄膜；氧化Be金属薄膜以获得BeO单晶层；在BeO单晶层上沉积MxZn1-xO单晶薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | si 衬底 制备 锌矿 sub zn 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种在Si衬底上制备MxZn1‑xO单晶薄膜的方法，包括：1)在Si衬底表面上沉积Be金属单晶薄膜；2)氧化Be金属薄膜以获得BeO单晶层；3)在BeO单晶层上沉积MxZn1‑xO单晶薄膜，其中M为Mg或Be，0≤x≤1。
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