[发明专利]一种电阻式随机存储元件及其制备方法有效
| 申请号： | 201110119804.X | 申请日： | 2011-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN102185107A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 包定华;胡伟;秦霓 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 陈卫 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电阻式随机存储元件及其制备方法，属新型非易失性存储器技术领域。该电阻式随机存储元件由导电衬底、NiFe2O4薄膜和导电顶电极构成。该存储元件的制备方法是用真空镀膜技术在NiFe2O4薄膜表面镀上导电顶电极制备而成。NiFe2O4薄膜的制备方法采用化学溶液沉积法或脉冲激光沉积法等。本发明中NiFe2O4电阻式随机存储元件在电压连续扫描模式下表现出优异的高低电阻态转变特性，高低电阻态的转变电压稳定，且具有优异的保持特性和连续循环读写能力。这些优异特性表明本发明在非易失性存储器技术领域具有潜在的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电阻 随机 存储 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种电阻式随机存储元件，由导电衬底、电阻存储薄膜和导电顶电极构成，其特征在于所述电阻存储薄膜为NiFe2O4薄膜。
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