[发明专利]广谱吸收的非晶硅黑硅异质结太阳能电池结构及制作方法无效
| 申请号： | 201110119980.3 | 申请日： | 2011-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN102280513A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 黄永光;朱小宁;刘德伟;王熙元;马丽;朱洪亮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L31/075 | 分类号： | H01L31/075;H01L31/028;H01L31/0352;H01L31/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种广谱吸收的非晶硅黑硅异质结太阳能电池的结构，包括：一n型硅衬底；一黑硅层，该黑硅层制作在n型硅衬底上；一i型氢化非晶硅层，该i型氢化非晶硅层制作在黑硅层上；一p型氢化非晶硅层，该p型氢化非晶硅层制作在i型氢化非晶硅层上；一n+型重掺杂层，该n+型重掺杂层制作在n型硅衬底的背面，形成广谱吸收的非晶硅黑硅异质结太阳能电池结构。 | ||
| 搜索关键词： | 广谱 吸收 非晶硅黑硅异质结 太阳能电池 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
一种广谱吸收的非晶硅黑硅异质结太阳能电池的结构，包括：一n型硅衬底；一黑硅层，该黑硅层制作在n型硅衬底上；一i型氢化非晶硅层，该i型氢化非晶硅层制作在黑硅层上；一p型氢化非晶硅层，该p型氢化非晶硅层制作在i型氢化非晶硅层上；一n+型重掺杂层，该n+型重掺杂层制作在n型硅衬底的背面，形成广谱吸收的非晶硅黑硅异质结太阳能电池结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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