[发明专利]发光二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 201110120029.X | 申请日： | 2011-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN102447045A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 朱荣堂;夏兴国;邱清华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/60;H01L33/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;邢雪红 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及高效发光二极管装置及其制造方法。依据一个或多个实施例，发光二极管装置包含一基板，其具有一个或多个凹陷特征形成于上述基板的表面上，以及形成一个或多个全方位反射器以覆盖在一个或多个上述凹陷特征上方。一发光二极管层形成于基板的表面上以盖在全方位反射器上方。一个或多个全方位反射器适于有效率地反射光线。本发明通过增进发光效率来产生更强的发光亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管装置，包含：一基板，具有一表面；一凹陷特征，位于该基板的表面上；一全方位反射器，位于该凹陷特征之上，该全方位反射器适于有效率地反射光线；及一发光二极管层，位于该基板的表面上方，包含在该全方位反射器上方。
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