[发明专利]半导体装置和半导体装置制造方法有效
| 申请号： | 201110120262.8 | 申请日： | 2011-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN102237272A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 久米一平;川原润;古武直也;齐藤忍;林喜宏 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 杨海荣;穆德骏 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置和半导体装置制造方法。所述半导体装置制造方法包括：在衬底上形成包含Si和C的帽绝缘膜；在所述帽绝缘膜上形成有机硅膜，所述有机硅膜的碳原子数对硅原子数的组成比高于所述帽绝缘膜；和通过等离子体加工，在所述有机硅膜中形成具有不同开口直径的两个以上凹部，在所述等离子体加工中使用包含惰性气体、含N的气体、碳氟化合物气体和氧化剂气体的混合气体。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置制造方法，所述方法包括：在衬底上形成包含Si和C的绝缘膜；在所述绝缘膜上形成有机硅膜，所述有机硅膜的碳原子数对硅原子数的组成比高于所述绝缘膜；和通过等离子体加工，在所述有机硅膜中形成具有不同开口直径的两个以上凹部，在所述等离子体加工中使用包含惰性气体、含N的气体、碳氟化合物气体和氧化剂气体的混合气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
