[发明专利]一种非带隙电压基准源有效
申请号: | 201110120552.2 | 申请日: | 2011-05-11 |
公开(公告)号: | CN102147631A | 公开(公告)日: | 2011-08-10 |
发明(设计)人: | 周泽坤;朱培生;王会影;石跃;明鑫;张波 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 周永宏 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种非带隙电压基准源。本发明的基准电压源,采用Vtn提取电路和Vtp提取电路分别提取正比于Vtn的电流和正比于Vtp的电流,通过两股电流在电流模基准电路上进行线性叠加,实现了Vtn和Vtp的相互补偿,进而产生零温度系数的基准电压。本发明利用PMOS和NMOS阈值电压的线性化,得到零温度系数的电压基准,使得基准电压源克服了传统基准源中VBE非线性温度的影响。 | ||
搜索关键词: | 一种 非带隙 电压 基准 | ||
【主权项】:
一种非带隙电压基准源,其特征在于,包括第一启动电路、第二启动电路、Vtn提取电路、Vtp提取电路和电流模基准电路,其中,所述的第一启动电路用于使Vtp提取电路正常工作,所述的第二启动电路用于使Vtn提取电路正常工作,所述Vtn提取电路用于提取正比于Vtn的电流,所述Vtp提取电路用于提取正比于Vtp的电流,所述电流模基准电路用于镜像正比于Vtn和Vtp的电流,产生基准电压。
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