[发明专利]一种交换耦合介质L10-FePt/[Co/Ni]N及其制备方法无效
| 申请号： | 201110121247.5 | 申请日： | 2011-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN102280113A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 马斌;廖嘉霖;郭红华;张宗芝;金庆原 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G11B5/84 | 分类号： | G11B5/84;G11B5/66;G11B5/851 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属信息存储技术领域，具体为交换耦合复合介质L10-FePt/[Co/Ni]N及其制备方法。所述交换耦合复合介质是在（001）取向的L10FePt薄膜的表面，沉积Co/Ni多层膜以及一非磁性Pt薄层而组成，记为L10-FePt/[Co/Ni]N，N为复合膜Co/Ni的周期数。本发明通过在高矫顽力的（001）取向的L10FePt薄膜表面沉积一层具有垂直磁易轴的Co/Ni多层膜，能够将FePt薄膜的磁化翻转场下降到适合现有磁头记录的大小，从而满足超高密度记录介质的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 交换 耦合 介质 l1 sub fept co ni 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种交换耦合复合介质，其特征在于为一种复合薄膜，是在（001）取向的L10 FePt薄膜的表面，沉积Co/Ni多层膜以及一非磁性Pt薄层而组成，记为L10‑FePt/[Co/Ni]N，N为复合膜Co/Ni的周期数。
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