[发明专利]一种优化硅基GaN场发射特性的晶体结构调制方法无效
| 申请号： | 201110122078.7 | 申请日： | 2011-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN102226294A | 公开（公告）日： | 2011-10-26 |
| 发明（设计）人： | 王如志;赵维;汪浩;严辉;王波;宋雪梅;朱满康;侯育冬;张铭;刘晶冰 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | C30B23/06 | 分类号： | C30B23/06;C30B29/40;H01J29/04 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 沈波 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种优化硅基GaN场发射特性的晶体结构调制方法，属于场发射阴极领域。包括如下步骤：选择Si作为衬底，GaN靶作为靶材；将衬底和靶材放入激光脉冲沉积系统，调整靶基距为50-90mm，抽真空使背底真空为1×10-5-1×10-2Pa；通入保护气体调整工作气压为1×10-2-1×101Pa，在脉冲频率5-15Hz、脉冲能量300-500mJ/脉冲的条件下，改变衬底温度700℃-1000℃并进行沉积。本发明通过控制沉积温度从而控制GaN薄膜的晶体结构，获得了最优的场发射性能的结晶度及结晶取向，有效提高了GaN薄膜型场发射阴极的场发射性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 优化 gan 发射 特性 晶体结构 调制 方法 | ||
【主权项】：
一种优化硅基GaN场发射特性的晶体结构调制方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：1)选择Si作为衬底，GaN靶作为靶材；2)将衬底和靶材放入激光脉冲沉积系统，调整靶基距为50‑90mm，抽真空使背底真空为1×10‑5‑1×10‑2Pa；2)通入保护气体调整工作气压为1×10‑2‑1×101Pa，在脉冲频率5‑15Hz、脉冲能量300‑500mJ/脉冲的条件下，改变衬底温度700℃‑1000℃并进行沉积。
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