[发明专利]高热流密度条件下阵列射流、沸腾冷却耦合换热方法有效
申请号: | 201110122114.X | 申请日: | 2011-05-12 |
公开(公告)号: | CN102271485A | 公开(公告)日: | 2011-12-07 |
发明(设计)人: | 宣益民;李强;铁鹏 | 申请(专利权)人: | 南京理工大学 |
主分类号: | H05K7/20 | 分类号: | H05K7/20 |
代理公司: | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人: | 唐代盛 |
地址: | 210094 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种高热流密度条件下阵列射流、沸腾冷却耦合换热方法,将单相阵列射流冲击冷却和沸腾换热结合,利用冷却液的蒸发潜热移除电子器件的热量,即选取沸点在-20℃-30℃的冷却液,通过控制工质压力在-0.5bar-10bar,获得所需范围内的沸点温度,将冷却液泵送至阵列射流冲击装置,通过射流孔射流在换热表面上,同时控制冷却液的温度和压力,使冷却液在射流换热后部分发生相变,利用冷却液的汽化潜热散热,换热后残余液体以及汽化的气体在压差作用下排除,完成整个阵列射流、沸腾冷却耦合换热过程。本发明实现高热流密度条件下的电子器件的散热,从而满足高热流密度条件下电子器件的散热需求,有效控制电子器件的温度,满足电子器件的工作温度需求。 | ||
搜索关键词: | 热流 密度 条件下 阵列 射流 沸腾 冷却 耦合 方法 | ||
【主权项】:
一种高热流密度条件下阵列射流、沸腾冷却耦合换热方法,其特征在于将单相阵列射流冲击冷却和沸腾换热结合,利用冷却液的蒸发潜热移除电子器件的热量,即选取沸点在‑20℃‑30℃的冷却液,通过控制工质压力在‑0.5bar‑10bar,获得所需范围内的沸点温度,将冷却液泵送至阵列射流冲击装置,通过射流孔射流在换热表面上,同时控制冷却液的温度和压力,使冷却液在射流换热后部分发生相变,利用冷却液的汽化潜热散热,换热后残余液体以及汽化的气体在压差作用下排除,完成整个阵列射流、沸腾冷却耦合换热过程。
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