[发明专利]射频收发开关电路无效
申请号: | 201110123292.4 | 申请日: | 2011-05-13 |
公开(公告)号: | CN102780475A | 公开(公告)日: | 2012-11-14 |
发明(设计)人: | 朱红卫;李丹;周天舒 | 申请(专利权)人: | 上海华虹NEC电子有限公司 |
主分类号: | H03K17/687 | 分类号: | H03K17/687 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 孙大为 |
地址: | 201206 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种射频收发开关电路,包括CMOS器件;P阱/深N阱和深N阱/P衬底的双二极管;其中深N阱和P阱浮空。本发明提出了一种采用4端CMOS器件,外加描述P阱/深N阱和深N阱/P衬底的双二极管模型的组合电路模型来设计高性能的射频开关电路,可以得到所有的隔离度,插入损耗和线性度等射频指标。 | ||
搜索关键词: | 射频 收发 开关电路 | ||
【主权项】:
一种射频收发开关电路;其特征在于,包括:CMOS器件;P阱/深N阱和深N阱/P衬底的双二极管;其中深N阱和P阱浮空。
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