[发明专利]双异质结双极晶体管结构无效
| 申请号： | 201110123487.9 | 申请日： | 2011-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN102779846A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 孙浩;孙晓玮;艾立鹍;滕腾;王伟;李凌云;钱蓉;徐安怀;齐鸣 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/08;H01L29/205 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明提供一种双异质结双极晶体管结构，其依序包括：包含磷与铟的化合物构成的集电区层、基区层、及包含磷与铟的化合物半导体构成的发射区层，其中，所述基区层的材料包含多种都由铟、镓、砷及锑所组成的化合物，且每一种化合物包含的铟、镓、砷及锑组份与其他种化合物所包含的铟、镓、砷及锑都不相同，且每一种化合物中铟的组份与镓的组份比为 |
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| 搜索关键词： | 双异质结 双极晶体管 结构 | ||
【主权项】：
一种双异质结双极晶体管结构，其依序包括：包含磷与铟的化合物构成的集电区层、基区层、及包含磷与铟的化合物半导体构成的发射区层，其特征在于：所述基区层的材料包含多种都由铟、镓、砷及锑所组成的化合物，且每一种化合物包含的铟、镓、砷及锑组份与其他种化合物所包含的铟、镓、砷及锑都不相同，且每一种化合物中铟的组份与镓的组份比为x∶(1‑x)，砷的组份与锑的组份比为y∶(1‑y)，且所述基区层的能带结构从发射结处到集电结处由宽变窄，其中， x ⋐ ( 0,1 ) , y ⋐ ( 0,1 ) .
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