[发明专利]光电转换装置和照相机有效
申请号: | 201110123535.4 | 申请日: | 2011-05-13 |
公开(公告)号: | CN102254921A | 公开(公告)日: | 2011-11-23 |
发明(设计)人: | 板桥政次 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/225;G03B19/02 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 欧阳帆 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及光电转换装置和照相机。该光电转换装置包括像素区,该像素区具有光电转换器和用于将在该光电转换器中的电荷传送到浮置扩散的传送MOS晶体管,该光电转换装置包括:第一绝缘膜,该第一绝缘膜被连续地布置为覆盖该光电转换器、以及该传送MOS晶体管的栅极电极的第一侧表面和上表面的第一区域,而没有被布置在该上表面的第二区域上,该第一绝缘膜被配置为用作抗反射膜;与该浮置扩散连接的接触塞;以及第二绝缘膜,该第二绝缘膜被连续地布置为覆盖该浮置扩散上的接触塞的周边、以及第二侧表面和第二区域,而没有被布置在第一区域上,该第二绝缘膜被配置为在形成该接触塞中用作刻蚀停止体。 | ||
搜索关键词: | 光电 转换 装置 照相机 | ||
【主权项】:
一种包括像素区的光电转换装置,所述像素区具有光电转换器和用于将由所述光电转换器产生的电荷传送到浮置扩散的传送MOS晶体管,所述装置包括:第一绝缘膜,所述第一绝缘膜被连续地布置为覆盖所述光电转换器、所述传送MOS晶体管的栅极电极的第一侧表面、以及所述栅极电极的上表面的第一区域,而没有被布置在所述栅极电极的上表面的第二区域上,所述第一绝缘膜被配置为用作抗反射膜;与所述浮置扩散连接的接触塞;以及第二绝缘膜,所述第二绝缘膜被连续地布置为覆盖所述浮置扩散上的接触塞的周边、以及所述栅极电极的第二侧表面和第二区域,而没有被布置在所述第一区域上,所述第二绝缘膜被配置为在形成所述接触塞时用作刻蚀停止体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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