[发明专利]一种绒面ZnO基薄膜的碱性溶液腐蚀方法无效
| 申请号： | 201110123589.0 | 申请日： | 2011-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN102222727A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 吕建国;王倩;叶志镇 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;C23C14/58;C23C14/08 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种绒面ZnO基薄膜的碱性溶液腐蚀方法。采用氢氧化钠溶液、氢氧化钾溶液或氨水溶液，对本征或掺杂的ZnO、ZnMgO、ZnCdO、ZnBeO或ZnCaO薄膜进行腐蚀，形成绒面结构。本发明的碱性溶液腐蚀方法，腐蚀速度适中，易于操作，可很好地控制其织构过程，所得绒面ZnO基薄膜具有良好的光学和电学特性，陷光作用显著。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 zno 薄膜 碱性 溶液 腐蚀 方法 | ||
【主权项】：
绒面ZnO基薄膜的碱性溶液腐蚀方法，其特征是用质量浓度为0.1~15%的氢氧化钠溶液或氢氧化钾溶液对ZnO基薄膜腐蚀1秒至30分钟，或者用质量浓度为0.5~30%的氨水溶液对ZnO基薄膜腐蚀1秒至1小时，在ZnO基薄膜表面形成绒面结构。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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