[发明专利]一种消除金属表面突起物的化学机械抛光装置及方法有效
| 申请号： | 201110123676.6 | 申请日： | 2011-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN102412136A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 白英英;姬峰;胡友存;张守龙;张亮;李磊;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种消除金属表面突起物的化学机械抛光装置及方法，本发明化学机械抛光装置包括研磨装置和退火装置；所述退火装置通过晶圆传送装置与所述研磨装置连接；所述退火装置设有退火腔，用于承载金属晶圆在其中退火；其中，退火装置用于在晶圆研磨后进行退火处理，使累积在晶圆上的金属互联层的应力充分释放，以使金属互联层内部的不稳定状态充分反应，包括因金属互联层内应力而在所述金属互联层表面形成突起物，使金属互联层达到稳定状态。利用本发明装置可在晶圆抛光过程中，退火和研磨抛光交替进行，通过退火处理释放金属互联中的内部应力，并通过再次研磨除去由金属互联层内部应力而产生的表面突起物，保证金属互联表面的平整性，从而提高制得的芯片的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 消除 金属表面 突起 化学 机械抛光 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种消除金属表面突起物的化学机械抛光装置，其特征在于，包括研磨装置和退火装置；所述退火装置通过晶圆传送装置与所述研磨装置连接；所述退火装置设有退火腔，用于承载金属晶圆在其中退火；其中，退火装置用于在晶圆研磨抛光后进行退火处理，使累积在晶圆上的金属互联层的应力充分释放，以使金属互联层内部的不稳定状态充分反应，包括由于应力的释放而在所述金属互联层表面形成突起物，从而使得金属互联层处于稳定的状态。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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